Samsung ja TSMC valmistautuvat 10 nanometrin tuotantoon
Samsungin puolijohdeyksikkö järjesti Piilaaksossa kutsutilaisuuden, jossa se yritti Re/coden mukaan myydä omaa tuotanto-osaamista piirisuunnittelijoille. Tilaisuudessa tuli ilmi, että yhtiön 10 nanometrin tuotantoprosessi olisi käyttövalmiina jo tämän vuoden lopulla.
10 nanometrin prosessia käyttäviä laitteita tuskin tulee myyntiin vielä tänä vuonna, mutta periaatteessa Samsungin ensi vuoden Galaxy-lippulaivoissa voisi olla 10 nanometrin tekniikalla valmistettu Exynos-järjestelmäpiiri. Samsung kehittää myös toisen sukupolven 10 nanometrin prosessia, joka mahdollistaa ensimmäiseen sukupolveen nähden noin 10 prosenttia paremman suorituskyvyn.
Aiemmin tänä vuonna Samsung esitteli 10 nanometrin prosessia SRAM-piireissä. Uudella tekniikalla saavutetaan noin 38 prosenttia pienempi pinta-ala kuin nykyisellä 14 nanometrin tekniikalla. Piirisuunnittelijoille tämä tarkoittaa sitä, että nykyisistä tuotteista saadaan aiempaa pienempiä tai vaihtoehtoisesti vanhoihin mittoihin saadaan mahdutettua enemmän transistoreita.
Samsungin kilpailija TSMC on ilmoittanut saavansa 10 nanometrin tuotantotekniikan massatuotantoon samoihin aikoihin. TSMC ennusti vähän aika sitten käynnistävänsä massatuotannon 7 nanometrin prosessilla vuonna 2018.
TÄMÄN UUTISEN KOMMENTOINTI ON PÄÄTTYNYT